室温硅中的十纳米级表面侵入体
材料科学
2007-05-23 v1 化学物理
摘要
在经离子铣削、刻蚀或 HF 浸泡处理的硅表面下，自发形成了尺寸约 10 nm、数密度约 10^{10} cm^{-2} 的缺陷，这些缺陷在我们使用的 Ti 离子吸气泵透射电子显微镜 (TEM) 中经空气暴露后观察到。它们表现为向硅体内部侵入的弱应变非晶态侵入体，在 TEM 中于强边缘或弯曲衬度条件下显现最为明显。若环境空气暴露时间 <10 分钟，则可对缺陷的成核与生长进行 {\em 原位} 监测。本文讨论了其可能的形成机制。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0110393,
title = {Ten-nanometer surface intrusions in room temperature silicon},
author = {Shu-Han Lin and Iris Mack and Noom Pongkrapan and P. Fraundorf},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0110393},
year = {2007}
}
备注
4 pages, 5 figures, RevTeX4