硅中锗纳米晶体的发光衰减动力学
介观与纳米尺度物理
2015-05-20 v1 材料科学
摘要
研究了嵌入晶体硅中的锗纳米晶体的发光衰减动力学，温度在16 K至室温之间变化。在室温下，特征衰减时间约为50纳秒，而在低温下则延长至微秒量级。衰减过程由非辐射过程主导，其典型热激活能为几个meV。
引用
@article{arxiv.1012.0398,
title = {Luminescence decay dynamics of germanium nanocrystals in silicon},
author = {Brian Julsgaard and Peter Balling and John Lundsgaard Hansen and Axel Svane and Arne Nylandsted Larsen},
journal= {arXiv preprint arXiv:1012.0398},
year = {2015}
}
备注
4 pages, 4 figures, submitted to Appl. Phys. Lett