原子级薄硅烯和锗烯纳米结构的热电性质
介观与纳米尺度物理
2015-06-17 v1
摘要
利用第一性原理密度泛函技术和线性响应理论，研究了一维和二维硅及锗结构的热电性质，包括热输运和电输运。本文考虑了二维硅烯和锗烯，以及不同宽度的纳米带。对于纳米带，我们还研究了通过混合硅和锗对这些系统进行纳米结构化的可能性。我们发现这些系统在室温下的优值系数非常高，可达 2.5。
引用
@article{arxiv.1310.0971,
title = {Thermoelectric properties of atomic-thin silicene and germanene nano-structures},
author = {K. Yang and S. Cahangirov and A. Cantarero and A. Rubio and R. D'Agosta},
journal= {arXiv preprint arXiv:1310.0971},
year = {2015}
}
备注
15 pages, 18 figures, revtex4-1