石墨烯/氮化硼异质结构的热电性质
介观与纳米尺度物理
2015-10-06 v1
摘要
使用密度泛函理论结合格林函数散射方法，我们研究了由交替长度的石墨烯和氮化硼形成的异质纳米带的热电性质。在此类结构中，氮化硼充当隧穿势垒，弱耦合石墨烯中的态，形成子能带（mini-bands）。在未掺杂纳米带中，子能带相对于费米能量对称定位，不显著增强热电性能。相反，当纳米带通过给电子或受电子吸附物掺杂时，热电势S和电子品质因数增强，并且可获得正或负热电势。在最有利的情况下，用电子给体四硫富瓦烯（TTF）掺杂将室温热电势提高至 -284 {\mu}v/K，而用电子受体四氰基乙烯（TCNE）掺杂将S提高至 210 {\mu}v/K。在计入电子和声子对热导的贡献后，获得高达约0.9量级的品质因数ZT。
引用
@article{arxiv.1510.00948,
title = {Thermoelectric properties of graphene/boron nitride heterostructures},
author = {L. A. Algharagholy and Q. Al-Galiby and H. A. Marhoon and H. Sadeghi and H. M. Abduljalil and C. J. Lambert},
journal= {arXiv preprint arXiv:1510.00948},
year = {2015}
}