硅中锡基纳米晶体的光发射
介观与纳米尺度物理
2015-07-28 v2
摘要
通过生长Si_{1-x-y}Sn_{x}C_{y}外延层（其中x = 1.6%，y = 0.04%），随后在650至900摄氏度范围内不同温度退火，制备了嵌入硅中的含锡纳米晶体。利用扫描透射电子显微镜测定纳米晶体密度和平均直径分别约为10^{17} cm^{-3}和约5 nm。光致发光光谱表明，在725摄氏度退火的样品中光发射非常显著；卢瑟福背散射谱显示，在该特定退火温度下纳米晶体主要呈金刚石结构相。讨论了光发射的起源。
引用
@article{arxiv.1504.07759,
title = {Light emission from silicon with tin-containing nanocrystals},
author = {Søren Roesgaard and Jacques Chevallier and Peter I. Gaiduk and John Lundsgaard Hansen and Pia Bomholt Jensen and Arne Nylandsted Larsen and Axel Svane and Peter Balling and Brian Julsgaard},
journal= {arXiv preprint arXiv:1504.07759},
year = {2015}
}
备注
5 pages, 3 figures, submitted to AIP Advances