利用顺序金离子注入制备硅纳米晶
介观与纳米尺度物理
2014-03-26 v1 材料科学
摘要
采用两阶段金离子注入技术制备硅纳米晶。第一阶段使用低能离子注入导致形成非晶硅 (a-Si) 层。随后在第二阶段进行的高能金辐照被发现可产生受应变的硅纳米晶 (Si NCs)。低至 500C 的退火处理可产生无应变且显示量子限域效应的纳米晶。对样品进行更高温度退火会导致非晶硅基体再结晶，从而使纳米晶尺寸增大。利用拉曼散射、X 射线衍射 (XRD) 和卢瑟福背散射谱 (RBS) 研究了退火对样品及形成的硅纳米晶尺寸的影响。数据可以通过具有极窄尺寸分布的声子限域模型得到很好的解释。XRD 结果与拉曼分析一致。
引用
@article{arxiv.1302.3402,
title = {Fabrication of silicon nanocrystals using sequential Au ion implantation},
author = {Gayatri Sahu and Rajesh Kumar and D. P. Mahapatra},
journal= {arXiv preprint arXiv:1302.3402},
year = {2014}
}
备注
PDFLATEX, 10 Pages, 6 Figures