硅纳米晶激光器
光学
2017-10-03 v1 介观与纳米尺度物理
应用物理
摘要
硅激光器一直是单片集成硅光子学中最具挑战性的元件。本文报道了首个在室温下基于具有高光学增益的硅纳米晶成功实现的全硅激光器。有源 Si NC 层由氢硅倍半环氧乙烷（HSQ）制成，该材料经历了相分离退火，随后进行了高压氢钝化。利用纳米压印技术，在有源层上制作了二阶 Bragg 光栅作为分布式反馈（DFB）激光腔。该 Si NC DFB 激光器件通过飞秒脉冲进行光泵浦。激光作用的判据，即阈值效应、偏振依赖性和受激发射的显著光谱变窄，均得到明显满足，这表明全硅激光器的实现。
引用
@article{arxiv.1710.00215,
title = {An silicon nanocrystal laser},
author = {Dong-Chen Wang and Chi Zhang and Pan Zeng and Wen-Jie Zhou and Lei Ma and Hao-Tian Wang and Zhi-Quan Zhou and Fei Hu and Shu-Yu Zhang and Ming Lu and Xiang Wu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1710.00215},
year = {2017}
}
备注
19 pages, 4 figures, 1 table