绝缘体上硅单片集成的室温 InGaAs 纳米线阵列激光器
介观与纳米尺度物理
2017-06-09 v1 光学
摘要
芯片级集成光源是广泛光子学应用中的关键组件。III-V 族半导体纳米线发射器因其优异的材料特性、极小的尺寸以及能够直接在晶格失配的硅衬底上生长而作为一种引人注目的方案受到关注。尽管基于纳米线的发射器取得了显著进展，但由于将纳米线发射器与光子集成电路（PICs）集成的困难，其实际应用仍处于早期阶段。在此，我们首次展示了单片集成在绝缘体上硅（SOI）平台上的光泵浦 III-V 族纳米线阵列激光器。在 SOI 衬底上选择性生长纯单晶 InGaAs/InGaP 核/壳纳米线，使纳米线阵列形成具有优异光学和结构特性的光子晶体纳米梁腔，从而实现激光器在室温下工作。我们还展示了通过在前置图案化的 SOI 平台上采用纳米外延，纳米线阵列激光器与 SOI 波导有效耦合。这些结果代表了一种用于超紧凑和节能光链路的新平台，并明确指出了通往实用化功能纳米线激光器的道路。
引用
@article{arxiv.1701.02763,
title = {Monolithic InGaAs nanowire array lasers on silicon-on-insulator operating at room temperature},
author = {Hyunseok Kim and Wook-Jae Lee and Alan C. Farrell and Pradeep Senanayake and Diana L. Huffaker},
journal= {arXiv preprint arXiv:1701.02763},
year = {2017}
}