硅上垂直纳米线激光器的高品质反射器设计
光学
2021-12-15 v1
摘要
具有独特一维结构的纳米线（NWs）可将高品质III-V半导体单片集成于Si平台，对构建硅光子学激光器极具前景。然而，相较于脱离衬底的纳米线，在硅上竖直站立的纳米线实现激光发射要困难得多，给集成带来显著挑战。本文系统分析了实现竖直站立纳米线激光器的挑战。NW/Si界面处光反射率低下导致光场严重泄漏至衬底，而界面处常用的SiO2或Si2N3介质掩模仅能将其改善至约10%，这是实现低阈值激光发射的主要障碍。为此提出一种NW超晶格分布布拉格反射器，能够将反射率大幅提升至>97%。本研究提供了一种高度可行的方法以显著改善竖直站立纳米线激光器的性能，可推动硅光子学的快速发展。
引用
@article{arxiv.2103.16922,
title = {Design of High-Quality Reflectors for Vertical Nanowire Lasers on Si},
author = {Xing Zhang and Hui Yang and Yunyan Zhang and Huiyun Liu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2103.16922},
year = {2021}
}
备注
5