硅（100）衬底上的纤锌矿III族氮化物分布布拉格反射镜
应用物理
2020-09-03 v1
摘要
首次在Si（100）衬底上展示了由AlN/GaN超晶格构成的分布布拉格反射镜（DBRs）。通过采用表面法线指向[110]方向偏4°的偏切Si（100）晶圆，在该立方衬底上实现了单晶纤锌矿超晶格结构。这种取向偏差引入了额外的外延约束，阻止了双畴GaN表面以及立方GaN夹杂物的生长。展示了Si（100）上无裂纹的600 nm GaN盖层/5×AlN/GaN DBR结构。这一在Si（100）上实现纤锌矿III族氮化物DBR的成就，为将新型光学和光电子器件与成熟的硅微电子技术集成开辟了可能。
引用
@article{arxiv.2009.01198,
title = {Wurtzite III-nitride distributed Bragg reflectors on Si (100) substrates},
author = {M. A. Mastro and R. T. Holm and N. D. Bassim and C. R. Eddy, and R. L. Henry and M. E. Twigg and A. Rosenberg},
journal= {arXiv preprint arXiv:2009.01198},
year = {2020}
}