基于深宽比捕获在虚拟 Ge 衬底上单片集成 AlGaAs 分布布拉格反射镜
材料科学
2017-01-31 v3
摘要
通过深宽比捕获（ART）技术形成的 Ge 层，在 on-axis Si (100) 衬底上成功单片生长出高质量 AlxGa1-xAs 分布布拉格反射镜（DBR）。基于 GaAs/ART-Ge/Si 的 DBR 具有可与传统块体偏切 GaAs 衬底上生长的器件相比的反射光谱，并具有光滑形貌、良好的周期性和均匀性。在 ART-Ge/Si 衬底上的 GaAs 中 Anitphase domain 形成显著减少，且 ART-Ge 衬底上 GaAs 基层的蚀坑密度范围为 10^5 至 6 x 10^6 cm^(-2)。这些结果为未来在这些 ART-Ge 衬底上生长和制备 VCSEL 铺平了道路，并证实通过 ART 技术的虚拟 Ge 衬底是光电子集成电路的有效 Si 平台。
引用
@article{arxiv.1601.04108,
title = {Monolithic Integration of AlGaAs Distributed Bragg Reflectors on Virtual Ge Substrates via Aspect Ratio Trapping},
author = {Yiheng Lin and Wei Shi and Jizhong Li and Ting-Chang Chang and Ji-Soo Park and Jennifer Hydrick and Zigang Duan and Mark Greenberg and James G. Fiorenza and Lukas Chrostowski and Guangrui Xia},
journal= {arXiv preprint arXiv:1601.04108},
year = {2017}
}