梯度 GaAsP/体硅衬底上单片集成 940 nm AlGaAs 分布 Bragg 反射镜的研究
材料科学
2022-09-07 v1
摘要
我们报道了在梯度 GaAsP/Si 衬底上制备单片集成的 940 nm AlGaAs 分布 Bragg 反射镜（DBRs）。在 DBR 表面观察到低密度表面凸起和交叉网格（cross-hatch）图案。截面的 DBR 层平滑且平坦。GaAsP/Si DBR 的反射光谱强度低于 GaAs DBR，且呈现双峰。进行了传输矩阵法计算、表面划痕和抛光测试，表明表面交叉网格是 DBR 反射光谱劣化的原因。
引用
@article{arxiv.2209.01690,
title = {Study of monolithically integrated 940 nm AlGaAs distributed Bragg reflectors on graded GaAsP/bulk Si substrates},
author = {Jia Guo and Yunlong Zhao and Markus Feifel and Hao-tien Cheng and Yun-cheng Yang and Lukas Chrostowski and David Lackner and Chao-hsin Wu and Guangrui and Xia},
journal= {arXiv preprint arXiv:2209.01690},
year = {2022}
}