体块锗衬底上单片集成的 940 nm 半 VCSEL
材料科学
2022-11-01 v1 光学
摘要
高质量的 n 型 AlGaAs 分布布拉格反射镜（DBR）与 InGaAs 多量子阱已成功在 4 英寸偏切 Ge (100) 晶圆上单片生长。所生长结构具有与在传统体块 GaAs 晶圆上生长者相当的光致发光谱与反射谱，并具备平滑形貌与合理的均匀性。这些结果有力支持了在更大面积体块 Ge 衬底上进行完整 VCSEL 生长与制备，以实现 AlGaAs 基 VCSEL 的批量生产。
引用
@article{arxiv.2210.16362,
title = {Monolithically integrated 940 nm half VCSELs on bulk Ge substrates},
author = {Yunlong Zhao and Jia Guo and Markus Feifel and Hao-Tien Cheng and Yun-Cheng Yang and Lukas Chrostowski and David Lackner and Chao-Hsin Wu and Guangrui and Xia},
journal= {arXiv preprint arXiv:2210.16362},
year = {2022}
}
备注
arXiv admin note: text overlap with arXiv:2201.04937