940 nm VCSEL 采用分子束外延生长于 Ge(001)
材料科学
2026-03-13 v1 光学
摘要
我们报道了利用固态来源分子束外延（MBE）在 Ge(001) 衬底上生长发射近 940 nm 的垂直腔面发射激光（VCSEL）结构。VCSEL MBE 生长是在由 GaAs 基于 Ge 采用金属有机化学气相外延（MOVPE）生长的虚拟衬底上实现的。MBE 生长过程中采用多光谱反射率测量和放大推断曲率成像进行原位监测。曲率测量显示逐渐的压缩应力，而光学反射率数据确认了均匀的层生长和准确的止带区形成。制造的器件直径为 35-40 m，对应约 11-16 m 的氧化孔径，室温下连续波偏置即可实现阈值电流低于 3 mA 的激光。迄今为止，这是首次演示了在 Ge 衬底上通过 MBE 生长的集成 940 nm VCSEL。这些结果确认了 MBE 生长的 VCSEL 在可扩展光电子集成方面具有可行性，同时实现了原位过程控制。
引用
@article{arxiv.2603.11902,
title = {940-nm VCSELs grown by molecular beam epitaxy on Ge(001)},
author = {Karim Ben Saddik and Alexandre Arnoult and Pierre Gadras and Stéphane Calvez and Léo Bourdon and Richard Monflier and Wlodek Strupinski and Guilhem Almuneau},
journal= {arXiv preprint arXiv:2603.11902},
year = {2026}
}