利用分子束外延在 Ge (110) 上气-固-固生长 Ge 纳米线
应用物理
2017-06-07 v1
摘要
我们展示了在 220 {\deg}C 下利用分子束外延 (MBE) 进行 Au 辅助的 Ge 纳米线 气-固-固 (VSS) 生长，该温度与 Si 基集成电路的温度窗口兼容。与在 Au-Ge 合金共晶温度或以上进行的气-液-固 (VLS) 生长的 Ge 纳米线相比，低温生长的 Ge 纳米线尺寸更小，均匀性相似，且与 Au 尖端的直径匹配更好。在 220 {\deg}C 下通过 VSS 生长在 Ge (110) 上观察到了三个生长方向，不同于在高温下通过 VLS 生长的 Ge 纳米线仅有一个生长方向。通过分析两种生长模式的机制，定性解释了从 VLS 生长到 VSS 生长过程中纳米线尺寸和形貌的演变。
引用
@article{arxiv.1706.01605,
title = {The Vapor-Solid-Solid Growth of Ge Nanowires on Ge (110) by Molecular Beam Epitaxy},
author = {Zhongyunshen Zhu and Yuxin Song and Zhenpu Zhang and Hao Sun and Yi Han and Yaoyao Li and Liyao Zhang and Zhongying Xue and Zengfeng Di and Shumin Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1706.01605},
year = {2017}
}
备注
11 pages, 5 figures, article