InAs-AlInAs 与 InAs-AlInP 核壳纳米线的结构研究
材料科学
2012-03-27 v1
摘要
在气态源分子束外延(GS-MBE)系统中，采用金辅助的气-液-固(VLS)方法在 GaAs 衬底上生长了 InAs 纳米线。由于倾向于形成轴向结构而非核壳结构，使用 InP 壳层对 InAs 纳米线进行钝化被证明较为困难。为规避此问题，通过直接气-固沉积在 InAs 纳米线侧壁上生长了名义 Al 组分分数为 x = 0.20、0.36 或 0.53 的 AlInAs 或 AlInP 壳层。透射电子显微镜表征表明，壳层中 Al 的加入导致了从 VLS 到气-固生长模式的显著转变，且壳层厚度沿纳米线长度方向均匀。这一转变的可能机制包括吸附原子扩散减弱、Au 籽晶颗粒的相变以及表面活性剂效应。InAs-AlInP 核壳纳米线表现出失配位错，而应变较低的 InAs-AlInAs 纳米线似乎无缺陷。
引用
@article{arxiv.1111.7259,
title = {Structural Investigation of InAs-AlInAs and InAs-AlInP Core-Shell Nanowires},
author = {C. M. Haapamaki and J. Baugh and R. R. LaPierre},
journal= {arXiv preprint arXiv:1111.7259},
year = {2012}
}