分子束外延生长的全纤锌矿 (In,Ga)As-(Ga,Mn)As 核壳纳米线
材料科学
2015-06-22 v1
摘要
研究了在金催化剂作用下于 GaAs(111)B 衬底上通过分子束外延生长的 (In,Ga)As-(Ga,Mn)As 核壳纳米线的结构与磁学性质。(In,Ga)As 核纳米线在高温 (500 {\deg}C) 下生长，而 (Ga,Mn)As 壳层则在低得多的温度 (220 {\deg}C) 下沉积于核的 {1-100} 侧面上。高分辨透射电子显微镜图像和高光谱分辨率拉曼散射数据表明，纳米线的核与壳均具有纤锌矿晶体结构。扫描和透射电子显微镜观测显示，含有约 10% In 的 (In,Ga)As 核上外延沉积了含有 5% Mn 的光滑 (Ga,Mn)As 壳层，且在核 - 壳界面处无任何失配位错。当 (In,Ga)As 核中的 In 含量大于 5% 时，(In,Ga)As 的晶格参数高于 (Ga,Mn)As，导致壳层处于拉伸应变状态。细致的磁学研究指出，(Ga,Mn)As 壳层在高于 33 K 的温度下存在铁磁耦合。这种耦合仅维持在分离的介观体积内，从而导致整体的超顺磁行为，该行为在低于 ~17 K 时被冻结。
引用
@article{arxiv.1409.2805,
title = {All-wurtzite (In,Ga)As-(Ga,Mn)As core-shell nanowires grown by molecular beam epitaxy},
author = {Aloyzas Siusys and Janusz Sadowski and Maciej Sawicki and Slawomir Kret and Tomasz Wojciechowski and Katarzyna Gas and Wojciech Szuszkiewicz and Agnieszka Kaminska and Tomasz Story},
journal= {arXiv preprint arXiv:1409.2805},
year = {2015}
}
备注
37 pages, 8 figures