用于可见光应用的 AlGaAs 核壳纳米线的自导向生长
材料科学
2007-10-03 v1
摘要
在分子束外延系统中，于 GaAs(111)B 衬底上生长了 Al(0.37)Ga(0.63)As 纳米线 (NWs)。微光致发光测量和能量色散 X 射线光谱分析表明，该纳米线具有核壳结构，且沿纳米线轴向存在 Al 组分梯度，从而产生了用于载流子限域的势阱。这种核壳结构是在生长过程中由于 Al 和 Ga 吸附原子的扩散长度不同而形成的。
引用
@article{arxiv.0710.0518,
title = {Self-directed growth of AlGaAs core-shell nanowires for visible light applications},
author = {C. Chen and S. Shehata and C. Fradin and R. LaPierre and C. Couteau and G. Weihs},
journal= {arXiv preprint arXiv:0710.0518},
year = {2007}
}
备注
20 pages, 7 figures