InAs-Al$_x$In$_{1-x}$As(P) 核壳纳米线的临界壳层厚度
材料科学
2014-03-04 v1
摘要
采用气源分子束外延 (GS-MBE) 系统中的金辅助气 - 液 - 固 (VLS) 方法，在 GaAs 衬底上生长了具有 AlInP 或 AlInAs 壳层的 InAs 纳米线。通过透射电子显微镜 (TEM) 测量了核直径和壳层厚度。随后将这些测量结果与选区衍射 (SAD) 图样相关联，以验证界面共格性或通过失配位错发生的弛豫。本文提出了一种理论应变模型，用于确定给定核直径下的临界壳层厚度。通过已知的张量变换，将闪锌矿结构的刚度参数转换为其纤锌矿结构对应参数。随后给出一个能量判据，用于确定共格性丧失且位错变得有利时的壳层厚度。
引用
@article{arxiv.1209.4321,
title = {Critical shell thickness for InAs-Al$_x$In$_{1-x}$As(P) core-shell nanowires},
author = {C. M. Haapamaki and J. Baugh and R. R. LaPierre},
journal= {arXiv preprint arXiv:1209.4321},
year = {2014}
}