自催化 GaAs/AlGaAs 核壳纳米线最佳壳层厚度的确定
材料科学
2016-06-29 v1
摘要
我们给出一组实验结果，辨识出控制分子束外延生长的自催化 GaAs/AlGaAs 核壳纳米线（NWs）载流子动力学的各种效应，即表面复合速度、表面电荷陷阱以及结构缺陷。对 NW 系综的时间分辨光致发光以及对单根 NW 的空间分辨阴极发光揭示，GaAs NW 核的发射强度、衰减时间与载流子扩散长度强烈依赖于 AlGaAs 壳层厚度，但呈非单调方式。尽管 7 nm AlGaAs 壳层能有效抑制 GaAs NW 核的表面复合速度，但如果壳层厚度小于 50 nm，由表面电荷引起的能带弯曲效应仍占主导；也就是说，由于核/壳界面处更强的载流子散射，具有更薄壳层的 NW 中载流子扩散长度更小。如果 AlGaAs 壳层厚度大于 50 nm，GaAs NW 核的发光效率开始劣化，这归因于 AlGaAs 壳层内部缺陷的形成，透射电子显微镜证实了这一点。
引用
@article{arxiv.1511.05401,
title = {Determination of the optimal shell thickness for self-catalysed GaAs/AlGaAs core-shell nanowires},
author = {R. Songmuang and Le Thuy Thanh Giang and J. Bleuse M. Den Hertog and Le Si Dang and H. Mariette},
journal= {arXiv preprint arXiv:1511.05401},
year = {2016}
}