GaAs/AlAs 核多壳纳米线的无意高密度 p 型调制掺杂
介观与纳米尺度物理
2014-04-24 v1 材料科学
摘要
在 GaAs/AlAs 核/壳纳米线 (NWs) 中实现显著掺杂具有重要的技术意义，但由于掺杂原子的两性行为，这仍然是一个挑战。在此，我们表明，在 AlAs 壳层中放置一个窄 GaAs 量子阱可以有效地吸除残留的碳受主，从而导致\emph{无意}的 p 型掺杂。对此类 GaAs/AlAs 核多壳 NW 的磁光研究揭示了量子限制发射。对 NW 电子结构的理论计算证实，由于壳层中 1~nm GaAs 层中存在电离碳受主，载流子在核/壳界面处受到量子限制。高磁场下的微光致发光显示出朗道能级发射线与朗道能级 TO 声子复现线之间避免交叉的清晰特征。这种耦合是由共振空穴 - 声子相互作用引起的，表明结构中存在大的二维空穴密度。
引用
@article{arxiv.1404.5781,
title = {Unintentional high density p-type modulation doping of a GaAs/AlAs core-multi-shell nanowire},
author = {J. Jadczak and P. Plochocka and A. Mitioglu and I. Breslavetz and M. Royo and A. Bertoni and G. Goldoni and T. Smolenski and P. Kossacki and Hadas Shtrikman and D. K. Maude},
journal= {arXiv preprint arXiv:1404.5781},
year = {2014}
}
备注
just published in Nano Letters (http://pubs.acs.org/doi/full/10.1021/nl500818k)