GaN/AlN双势垒异质结构纳米线中的量子输运
介观与纳米尺度物理
2015-05-19 v1
摘要
我们研究了有和无AlN双势垒的n-i-n GaN纳米线中的电子输运。这些纳米线通过无催化剂、等离子体辅助分子束外延生长，实现了陡峭的GaN/AlN界面以及纵向n型掺杂调制。在低温下，n-i-n GaN纳米线中的输运由库仑阻塞效应主导。载流子被限制在未掺杂的中间区域，形成特征长度约为100 nm的单岛或多岛。两个AlN隧穿势垒的引入使得限制发生在中间的GaN阱内。对于6 nm厚阱和2 nm厚势垒的情况，我们观察到具有离散能态的单量子点中库仑阻塞输运的特征信号。对于更窄的阱和势垒，库仑阻塞效应不显著，而通过受限量子能级的共振隧穿起始伴随着负微分电阻，该效应可持续至约150 K。
引用
@article{arxiv.1005.3637,
title = {Quantum transport in GaN/AlN double-barrier heterostructure nanowires},
author = {R. Songmuang and G. Katsaros and E. Monroy and P. Spathis and C. Bourgeral and M. Mongillo and S. De Franceschi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1005.3637},
year = {2015}
}
备注
submitted