调制掺杂层对 \nu=5/2 填充因子下倾斜磁场诱导各向异性的影响
介观与纳米尺度物理
2015-04-02 v1
摘要
我们针对一系列高质量 GaAs 量子阱，系统研究了朗道能级填充因子 \nu=5/2 处倾斜磁场诱导的各向异性，其中调制掺杂层与 GaAs 量子阱之间的退避距离(d)在 33 至 164 nm 间变化。我们观察到，在 d 最小的样品中，当面内磁场(B_{ip})平行于 [1-10] 晶向时电子输运呈各向异性，而当 B_{ip} // [110] 时则基本保持各向同性。相反，在 d 最大的样品中，电子输运在两个晶向均呈各向异性。我们的结果清楚地表明，调制掺杂层在倾斜磁场诱导的 \nu=5/2 各向异性中起着重要作用。
引用
@article{arxiv.1504.00338,
title = {Impact of the modulation doping layer on the \nu=5/2 anisotropy},
author = {X. Shi and W. Pan and K. W. Baldwin and K. W. West and L. N. Pfeiffer and D. C. Tsui},
journal= {arXiv preprint arXiv:1504.00338},
year = {2015}
}
备注
Phys. Rev. B 91, 125308 (2015)