微小密度调制对二维电子条纹相的重取向

限制在GaAs量子阱中的相互作用二维电子，当费米能级位于第一激发($N=1$)朗道能级时，表现出各向同性的输运。施加面内磁场($B_{||}$)通常会导致电子的各向异性、条纹状（向列）相，条纹取向垂直于$B_{||}$方向。我们的实验数据揭示了由负性电子束抗蚀剂条带形成的表面应变光栅所诱导的周期性密度调制，如何与$B_{||}$诱导的条纹相取向序相竞争。即使微小（$<0.25\%$）的密度调制也足以使条纹沿表面光栅方向重新取向。