倾斜磁场中密度对量子霍尔条纹取向的影响
介观与纳米尺度物理
2017-04-12 v1
摘要
我们研究了可变密度二维电子气中在平面内磁场 下的量子霍尔条纹。在填充因子 处，我们在低、中、高密度下分别观察到一次、两次和零次由 诱导的重新取向。这些不同区域的出现源于触发第二次重新取向的 诱导取向机制对密度的强烈依赖，该机制使条纹与 平行。相比之下，使条纹重新取向至垂直于 的机制则未显示出对密度的明显依赖。在相同倾斜磁场下于 和 进行的测量，使我们排除了本征对称破缺场的密度依赖作为主导因素的可能性。我们的发现进一步表明，屏蔽可能在决定条纹取向方面起重要作用，这为发展旨在识别和描述本征及 诱导对称破缺场的理论提供了指导。
引用
@article{arxiv.1704.03427,
title = {Effect of density on quantum Hall stripe orientation in tilted magnetic fields},
author = {Q. Shi and M. A. Zudov and Q. Qian and J. D. Watson and M. J. Manfra},
journal= {arXiv preprint arXiv:1704.03427},
year = {2017}
}