部分填充朗道能级内量子霍尔条纹的重新取向
介观与纳米尺度物理
2016-03-18 v1
摘要
我们研究了填充因子对二维电子气高朗道能级中被称为条纹的输运各向异性的影响。我们发现，在特定面内磁场下，条纹的取向对给定朗道能级内的填充因子敏感。这种敏感性导致在偏离半填充处出现条纹，而正交取向的固有条纹存在于半填充处。单个朗道能级内各向异性轴的这种切换可归因于固有对称性破缺势对填充因子的强烈依赖。
引用
@article{arxiv.1602.08395,
title = {Reorientation of quantum Hall stripes within a partially filled Landau level},
author = {Q. Shi and M. A. Zudov and J. D. Watson and G. C. Gardner and M. J. Manfra},
journal= {arXiv preprint arXiv:1602.08395},
year = {2016}
}