量子霍尔区中条纹与气泡的微观细节
强关联电子
2020-10-07 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
我们使用完全自洽的横向分辨 Hartree-Fock 近似，对近宏观样品尺寸下量子霍尔区中高朗道能级的电子构型进行数值研究。我们的结果给出了条纹状和气泡状电荷密度调制的微观细节，并展示了这些结构如何随填充因子而出现。我们发现，在条纹和气泡的边界处存在一个密度调制区域，其对应于约半填充的填充因子。这些边界区域的微观细节决定了电荷密度调制排列为条纹或气泡的几何边界条件。输运使用非平衡网络模型建模，在接近半填充的条纹区中给出了沿注入电流方向的显著各向异性。我们获得条纹周期为 2.9 个回旋半径。我们的结果表明了整数量子霍尔区中多体物理的主导地位，并为其强磁场下后果提供了直观理解。
引用
@article{arxiv.2001.07542,
title = {Microscopic details of stripes and bubbles in the quantum Hall regime},
author = {Josef Oswald and Rudolf A. Römer},
journal= {arXiv preprint arXiv:2001.07542},
year = {2020}
}
备注
5 main pages and 4 figures with 1 page supplemental materials and 3+4=7 supplemental figures; new version contains changes in reply to reviewer comments, some in the main text, but more and additional figures in the supplement