Scifaro

中文

2D 电子体系于调制掺杂 Si/SiGe 量子井中的远程掺杂散射与局部场修正

强关联电子 2007-05-23 v1

作者: V. T. Dolgopolov , E. V. Deviatov , A. A. Shashkin , U. Wieser , U. Kunze , G. Abstreiter , K. Brunner

在 arXiv 上查看 ↗ PDF ↗ DOI ↗

摘要

在调制掺杂 Si/SiGe 量子井中 2D 电子体系的磁阻在完全自旋极化开始时表现出约 30% 的小磁阻，这表明远程掺杂决定了传输散射时间。在这种强相互作用电子体系中进行的迁移率测量，使我们得出结论，Hubbard 形式对局部场修正估计低约一个倍。

关键词

2D 电子体系远程掺杂散射局部场修正 Si/SiGe 量子井磁阻 Hubbard 形式

引用

@article{arxiv.cond-mat/0310107,
  title  = {Remote-doping scattering and the local field corrections in the 2D electron system in a modulation-doped Si/SiGe quantum well},
  author = {V. T. Dolgopolov and E. V. Deviatov and A. A. Shashkin and U. Wieser and U. Kunze and G. Abstreiter and K. Brunner},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0310107},
  year   = {2007}
}