N和C掺杂MgO中的电子掺杂与磁矩形成
材料科学
2015-05-13 v2
摘要
C和N掺杂MgO中磁矩的形成是洪德耦合、杂化和杨-泰勒畸变之间微妙相互作用的结果。这种平衡取决于包括电子掺杂在内的许多环境变量。我们通过自相互作用修正的密度泛函理论研究了这种依赖性，发现磁矩的形成对电子掺杂具有鲁棒性。相比之下，掺杂剂周围的局域对称性更为脆弱，可以稳定两种不同的几何结构。至关重要的是，磁矩始终是高度局域化的，这使得任何在d^0磁体中基于载流子介导的磁性图像变得不太可能。
引用
@article{arxiv.0902.4471,
title = {Electron doping and magnetic moment formation in N- and C-doped MgO},
author = {Andrea Droghetti and Stefano Sanvito},
journal= {arXiv preprint arXiv:0902.4471},
year = {2015}
}