三维 Dirac 半金属 Cd$_{3}$As$_{2}$ 中散射机制的调控
强关联电子
2016-10-26 v5 材料科学
摘要
为探究 CdAs 单晶中的电荷散射机制，我们分析了 Seebeck 系数 () 对温度和磁场的依赖性。高场下 的大饱和值清晰地展示了三维 Dirac 费米子的线性能带色散。通过 In 掺杂改变磁场强度和载流子密度，实现了电荷散射机制的广泛可调性。随着磁场增大，散射时间从近乎与能量无关跨越到线性依赖区域。另一方面，散射时间进入反能量依赖区，且费米面在 Cd 位 2% In 掺杂时发生强烈修正。随着 In 含量从 2% 进一步增加到 4%，直至 9 T 场我们未观察到任何舒布尼科夫-德哈斯振荡，但磁阻被发现与未掺杂样品一样相当大。
引用
@article{arxiv.1502.02264,
title = {Tuning the scattering mechanism in three-dimensional Dirac semimetal Cd$_{3}$As$_{2}$},
author = {A. Pariari and N. Khan and R. Singha and B. Satpati and P. Mandal},
journal= {arXiv preprint arXiv:1502.02264},
year = {2016}
}
备注
11 pages, 13 figures