掺杂对MoS$_2$热电性能的影响
材料科学
2025-12-03 v2
摘要
基于玻尔兹曼输运理论和第一性原理计算，我们系统研究了通过掺杂对层状MoS热电性能的影响。通过仔细考察沿面内和面外方向的热电势、电导率、功率因子(PF)以及最终的热电优值(ZT)系数随温度和掺杂水平的变化，我们得到了最佳掺杂区域(约10 cm)。在最佳掺杂区域，MoS的热电势各向异性极小，但电导率和电子热导率具有很大的各向异性。在面内方向，与相当，而在面外方向，占主导。ZT在700 K左右可高达0.3。研究表明，通过掺杂，MoS的面内方向更适用于热电应用。
引用
@article{arxiv.1212.3394,
title = {Doping effect on thermoelectric properties of MoS$_2$},
author = {Huaihong Guo and Teng Yang and Peng Tao and Zhidong Zhang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1212.3394},
year = {2025}
}
备注
5 pages, 6 figures