狄拉克半金属 Cd3As2 增强的热电性能
材料科学
2016-11-22 v1
摘要
我们报道了拓扑半金属 Cd3As2 的温度和掺杂依赖的热电行为研究。利用玻尔兹曼输运理论计算了电导率、热导率、塞贝克系数和品质因数（ZT）。计算得到的原始 Cd3As2 的热电性能与实验结果吻合良好。发现电子或空穴掺杂，尤其是后者，大大改善了材料的热电行为。发现电子掺杂的 Cd3As2 在 T=700 K、n=1x1020 cm-3 时的最佳品质因数 ZT 约为 0.5，远大于原始 Cd3As2 的最大实验值（~0.15）。对于 p 型 Cd3As2，塞贝克系数最大值作为温度的函数随空穴掺杂浓度的增加明显增加，且其位置与 n 型 Cd3As2 相比急剧向低温区移动，从而在 p 型 Cd3As2 中于低温 500 K（p=1x1020 cm-3）下获得约 0.5 的最佳品质因数 ZT。
引用
@article{arxiv.1611.00132,
title = {Enhanced Thermoelectric Properties of Dirac Semimetal Cd3As2},
author = {Tong Zhou and Cheng Zhang and Huisheng Zhang and Faxian Xiu and Zhongqin Yang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1611.00132},
year = {2016}
}
备注
16 pages, 4 figures