电子与空穴掺杂 PtSb$_2$的热电性能
材料科学
2014-02-19 v1
摘要
我们采用密度泛函理论研究电子和空穴掺杂 PtSb的热电性质。结果表明，对于每单胞 0.04 个空穴的掺杂 (1.5 cm)，PtSb在室温下表现出高塞贝克系数，且通过控制载流子浓度（电子和空穴）也可在其他温度下实现该性能。当掺杂量超过每单胞约 0.20 个电子/空穴时，电导率变得与温度无关。在 800 K 时，电子掺杂和空穴掺杂 PtSb的优值分别为 0.13 和 0.21。预测了特定掺杂水平下具有相同主体材料的热电效率。
引用
@article{arxiv.1402.4256,
title = {Thermoelectric performance in electron and hole doped PtSb$_2$},
author = {Y. Saeed and N. Singh and Schwingenschlögl},
journal= {arXiv preprint arXiv:1402.4256},
year = {2014}
}