S掺杂ZnSb的研究
材料科学
2017-09-11 v1
摘要
我们报道了ZnSb的S掺杂，S浓度范围从0.02 at%到2.5 at%。此前没有关于S掺杂的报道。ZnSb是一种热电材料，在400 K - 600 K温度范围具有一些优势。通过扫描显微镜观察析出物，估计S在ZnSb中的固溶度低于0.1%。进行了霍尔和塞贝克测量，作为从6K到623 K温度的函数。电学性质的温度依赖性表明，S在p型材料中引入了空穴的中性散射中心。通过涉及Zn空位的缺陷反应，论证了S导致空穴浓度增加。
引用
@article{arxiv.1709.02651,
title = {A Study of S doped ZnSb},
author = {X. Song and T. G. Finstad},
journal= {arXiv preprint arXiv:1709.02651},
year = {2017}
}