未掺杂氮化镓量子阱中极化诱导的二维空穴气

长期缺失的极化诱导二维空穴气最终在未掺杂氮化镓量子阱中被观测到。实验结果提供了明确证据：在 AlN 上生长的 GaN 中的二维空穴气不需要受主掺杂，并且可以完全由半导体异质结中内极化场的差异形成。测得的二维空穴气密度约为 $4 \times 10^{13}$ cm$^{-2}$，在所有已知半导体中属于最高之列，并且直到低温都保持不变。观测到了所有宽禁带半导体中一些最低的薄层电阻。观测结果为研究宽禁带氮化物界面的价带结构和输运特性提供了新的探针，同时为基于氮化镓的、用于节能电子器件的 p 沟道晶体管提供了缺失的组件。