GaAs/AlGaAs 双量子阱中未掺杂电子-空子双层

J. A. Seamons; D. R. Tibbetts; J. L. Reno; M. P. Lilly

doi:10.1063/1.2437664

GaAs/AlGaAs 双量子阱中未掺杂电子-空子双层

介观与纳米尺度物理 2009-11-11 v1 强关联电子

作者: J. A. Seamons , D. R. Tibbetts , J. L. Reno , M. P. Lilly

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摘要

我们报告了在具有 30 nm 隔膜的 GaAs/AlGaAs 双量子阱异质结构中制造完全未掺杂电子-空子双层器件的细节。这些器件可以独立调节两种二维电子气和两种二维空子气的密度。我们在 T = 300 mK 下，对独立接触的电子层和空子层进行了四端子传输测量，密度从 $1.2 \times 10^{11}$ cm $^{-2}$ 降至 $4 \times 10^{10}$ cm $^{-2}$ 。电子的迁移率可达 $1 \times 10^{6}$ cm $^{2}$ V $^{-1}$ s $^{-1}$ ，空子的迁移率可达 $4 \times 10^{5}$ cm $^{2}$ V $^{-1}$ s $^{-1}$ 。

关键词

电子-空子双层 GaAs/AlGaAs 双量子阱传输测量迁移率

引用

@article{arxiv.cond-mat/0611220,
  title  = {Undoped Electron-Hole Bilayers in a GaAs/AlGaAs Double Quantum Well},
  author = {J. A. Seamons and D. R. Tibbetts and J. L. Reno and M. P. Lilly},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0611220},
  year   = {2009}
}

备注

3 pages, 3 figures

GaAs/AlGaAs 双量子阱中未掺杂电子-空子双层

摘要

关键词

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备注

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