未掺杂电子 - 空穴双层结构中输运的层间依赖性

本研究探讨了未掺杂电子 - 空穴双层（uEHBL）器件中输运的层间依赖性，考察了其随载流子密度、层间电场和温度的变化关系。该 uEHBL 器件由一个密度可调且独立接触的二维电子气（2DEG）和一个二维空穴气（2DHG）组成，二者通过场效应在被 30 nm Al$_{0.9}$Ga$_{0.1}$As 势垒隔开的不同 GaAs 量子阱中诱导产生。利用范德堡法同时对各层进行输运测量。观察到 2DHG 迁移率随 2DEG 密度的增加而增加，而 2DEG 迁移率对 2DHG 密度的依赖可忽略不计。减小层间电场从而增加层间间距，也提高了 2DHG 迁移率，而对 2DEG 迁移率的影响微乎其微。利用 2DHG 库仑拖曳测量估算了层间电场变化引起的层间间距变化。结果与各层迁移率仅间接依赖于相邻层密度且主要由背景杂质散射主导的情况一致。此外还确定了各层电阻率的温度依赖性。