天然范德华异质结构4H$_b$-TaS$_2$中由电子不稳定性诱导的层间电荷转移
介观与纳米尺度物理
2025-10-07 v1 强关联电子
摘要
由交替的1T-和1H-TaS层组成的天然范德华异质结构4H-TaS,为研究新型量子材料的电子关联和层依赖性质提供了平台。通过红外光谱获得的电导率谱的温度演变,阐明了与1T层上的电荷密度波(CDW)超晶格相关的能带修饰的影响,导致室温能隙 0.35 eV。然而,1H层不存在相关能隙。在密度泛函理论计算的支持下,我们将带间跃迁的行为归因于层的聚合,这放大了从1T层向1H层的电荷转移,并随温度降低而增强。这一现象导致低能谱权重和载流子密度增强。4H-TaS体材料中能隙的存在以及由层依赖CDW态驱动的温度可调电荷转移,有助于更全面地理解其他过渡金属二硫族化合物。
引用
@article{arxiv.2411.07823,
title = {Interlayer charge transfer induced by electronic instabilities in the natural van der Waals hetrostructure 4H$_b$-TaS$_2$},
author = {R. Mathew Roy and X. Feng and M. Wenzel and V. Hasse and C. Shekhar and M. G. Vergniory and C. Felser and A. V. Pronin and M. Dressel},
journal= {arXiv preprint arXiv:2411.07823},
year = {2025}
}
备注
11 pages including SM