范德瓦耳斯异质结构中随温度变化的电子基态电荷转移
材料科学
2021-03-16 v1
摘要
异质结构各组分间的电子电荷重排是达到电子基态的基本原理。公认各组分态密度分布支配着电荷转移量，但尤其对弱相互作用系统，温度上的显著依赖尚未被考虑。在此，我们通过实验观察到，由单层 MoS2 夹在石墨与分子电子受体层之间形成的范德瓦耳斯异质结构中，其基态电荷转移量从 7 K 到室温增加了三倍。对完整异质结构、并计入核热涨落的顶尖电子结构计算揭示，组分内电子-声子耦合与组分间电子耦合是决定电荷转移量的关键因素。该结论可由一个适用于多组分范德瓦耳斯异质结构的模型加以阐释。
引用
@article{arxiv.2103.07962,
title = {Temperature-dependent electronic ground state charge transfer in van der Waals heterostructures},
author = {Soohyung Park and Haiyuan Wang and Thorsten Schultz and Dongguen Shin and Ruslan Ovsyannikov and Marios Zacharias and Dmitrii Maksimov and Matthias Meissner and Yuri Hasegawa and Takuma Yamaguchi and Satoshi Kera and Areej Aljarb and Mariam Hakami and Lain-Jong Li and Vincent Tung and Patrick Amsalem and Mariana Rossi and Norbert Koch},
journal= {arXiv preprint arXiv:2103.07962},
year = {2021}
}