基于二次层石墨烯的关联态

电荷转移是工作函数失配的范德鲁赫异构结构中常见的现象，这使得通过电荷整流器来控制带对齐和层间电荷分布成为可能。这为研究耦合的双层相关电子体系提供了一个可调平台。本文在理论上研究了二次层石墨烯（RMG）和具有可调带对齐的绝缘基底的异构结构。我们首先发展了一种包含电荷转移的层电荷密度自洽电动力学理论，以再现实验观察到的电荷中性区域的宽化和弯曲现象。当基底的带边有效质量远大于RMG时，其载流子可在低密度下形成Wigner晶体。这会创建一个量子超晶格，导致RMG层中拓扑平坦带的形成，可能引发由层内库仑相互作用驱动的Chern绝缘体。相反，在有效质量相当的情况下，我们发现电荷中性处可被层间库仑耦合稳定的层间激子绝缘体态。我们的工作确立了这些电荷转移异构结构作为拓扑和激子相关态的丰富平台，为“电荷转移器科学”（charge-transferonics）开辟了道路。