范德瓦耳斯异质双层中杂质束缚层间复合物的调控
介观与纳米尺度物理
2019-09-16 v1
摘要
由于其独特的二维特性，半导体过渡金属硫族化合物（TMDs）中的载流子表现出强未屏蔽库仑相互作用以及对缺陷和杂质的敏感性。范德瓦耳斯层堆叠的灵活性允许在具有交错能带结构的不同TMD层之间空间分离电子和空穴，从而产生层间少体激子复合物，其本质仍有争议。在此，我们结合量子蒙特卡洛计算与光谱和时间分辨光致发光测量，对顶部和底部栅极控制的MoSe2/WSe2异质结构进行研究，并将发光体识别为杂质束缚的层间激子复合物。利用对掺杂和面外电场的独立静电控制，我们展示了对中性和带电复合物相对种群的调控、对其发射能量在大于其线宽尺度上的调控，以及将其寿命提高到微秒量级。该工作揭示了受限载流子的新物理，并对新型光电子学应用的发展至关重要。
引用
@article{arxiv.1904.11434,
title = {Tuning of impurity-bound interlayer complexes in a van der Waals heterobilayer},
author = {Fabien Vialla and Mark Danovich and David A. Ruiz-Tijerina and Mathieu Massicotte and Peter Schmidt and Takashi Taniguchi and Kenji Watanabe and Ryan J. Hunt and Marcin Szyniszewski and Neil D. Drummond and Thomas G. Pedersen and Vladimir I. Fal'ko and Frank H. L. Koppens},
journal= {arXiv preprint arXiv:1904.11434},
year = {2019}
}