耦合电子-空穴范德瓦耳斯异质结构中高于 100K 温度下随掺杂从单组分到双组分超流性的转变
超导电性
2020-07-01 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
对高温超流性的探索因原子级薄稳定材料的发现而获得新的动力。本文采用包含强自旋轨道耦合引起的能带分裂的平均场多带模型，研究了耦合 MoSe2-WSe2 单层中的电子-空穴超流性。该分裂导致电子与空穴能带的大幅能量失配，而通过互换单层的掺杂可显著改变这一失配。掺杂的选择决定了超流性是否可从单组分调控至双组分。电子-空穴配对很强，其转变温度超过 100 K。
引用
@article{arxiv.1909.03411,
title = {A doping-dependent switch from one- to two-component superfluidity at temperature above 100K in coupled electron-hole Van der Waals heterostructures},
author = {Sara Conti and Matthias Van der Donck and Andrea Perali and Francois M. Peeters and David Neilson},
journal= {arXiv preprint arXiv:1909.03411},
year = {2020}
}