低掺杂下电子 - 电子相互作用对二维半导体超导性的普适增强

在二维多谷半导体中，低掺杂条件下，即使是中等强度的电子 - 电子相互作用也能增强对任何诱导谷极化扰动的响应。如果谷极化源于电子 - 声子耦合，则电子 - 电子相互作用会导致超导临界温度的提升。通过执行超越密度泛函理论的第一性原理计算，我们证明了该效应解释了在 Li$_x$ZrNCl 中观测到的超导转变温度 (T$_c$) 和磁化率的非常规掺杂依赖性。通过寻找 T$_c$ 最大增强的条件，我们展示了弱掺杂二维半导体如何为实现高 T$_c$ 超导性提供了一条途径。