过渡金属硫化物中非传统栅控超导性

少层半导体性过渡金属硫化物（TMDs）可以通过离子液体栅控场效应掺杂实现超导性。尽管多年来收集了Several 实验观察，但仍缺乏一个完全一致的理论图景。本文构建了一种真实框架，将第一性原理模拟的预测能力与Bardeen-Cooper-Schrieffer 能gap 方程的通用性和洞察力相结合，以合理化此类实验。考虑了TMD半导体的多谷性，以及掺杂和动量相关的电子-声子和库仑相互作用。与实验结果一致，我们发现当电子密度足够大以致Q 谷被占据时，超导性出现，这是由于电子-声子相互作用得到显著增强。尽管是声子驱动的，但超导态对库仑相互作用敏感，这可能导致谷之间出现相对符号差，从而导致 $s_{+-}$ 型。我们定性地讨论了这种情景如何解释许多观察到的物理现象，这些现象至今尚无微观解释，特别是大亚iski密度和 $T_c$ 相对于累积电子密度的拱形依赖性。我们的结果对TMDs中的栅控超导性提供了全面分析，并引入一种将来可能对其他多谷电子系统具有价值的方法，这些系统在较低电子密度下发生超导性。