离子门控MoS2层中的多谷超导性
超导电性
2018-09-19 v2 介观与纳米尺度物理
材料科学
摘要
过渡金属二硫族化物（TMDs）层将二维极限下增强的关联效应与通过电场对其相变的静电控制结合在一起。若干半导体性TMDs，如MoS，在静电场掺杂时其表面会出现超导性（SC），但其机理仍有争议。通常假设库珀对仅存在于布里渊区K/K'点处的两个电子袋中。然而，实验与理论结果表明，多谷费米面（FS）与SC态相关，涉及Q/Q'点处的6个电子袋。本文中，我们在离子门控MoS薄片中进行了低温输运测量。我们表明，完全的多谷FS与SC起始相关联。当掺杂cm时Q/Q'谷被填充，且直到费米能级跨越自旋轨道分裂的子带Q与Q时SC转变才出现。SC态与FS连通性相关，并由多电子袋同时占据所引起的Lifshitz转变所促进。此FS拓扑将作为寻找新型超导体的指导。
引用
@article{arxiv.1802.06675,
title = {Multi-Valley Superconductivity In Ion-Gated MoS2 Layers},
author = {Erik Piatti and Domenico De Fazio and Dario Daghero and Srinivasa R. Tamalampudi and Duhee Yoon and Andrea C. Ferrari and Renato S. Gonnelli},
journal= {arXiv preprint arXiv:1802.06675},
year = {2018}
}
备注
12 pages, 7 figures