迈向低维 C60 纳米阵列的室温超导：一项从头算研究

我们提出通过提高低维 C$_{60}$ 纳米阵列在费米能级 $N(E_F)$ 处的电子态密度，从而提高电子-声子耦合常数，来提升掺杂 C$_{60}$ 分子晶体超导的临界温度 $T_c$。我们同时考虑了电子掺杂和空穴掺杂，并给出了 $N(E_F)$ 的数值结果；随着 C$_{60}$ 配位数的减少以及部分填充的 $h_u$ 和 $t_{1u}$ 衍生前沿能带带宽的减小，$N(E_F)$ 随之增加。尽管在插层于石墨烯层之间的掺杂 C$_{60}$ 二维阵列中 $N(E_F)$ 发生了显著增加，我们提出，接近室温的最高 $T_c$ 值可能出现在由外部掺杂的 C$_{60}$ 或 La@C$_{60}$ 的一维阵列填充的纳米管束中，或出现在由 C$_{60}$ 形成准一维排列渗流路径的稀疏三维晶体中。