通过载流子切换使 KFe$_{2}$As$_{2}$ 的临界温度增至三倍

高临界温度（$T_{c}$）超导体的超导性通常通过化学掺杂或施加压力以类似方式实现，从而向其母体化合物中引入电子或空穴类型的载流子。对于化学掺杂，超导性表现不对称，在同一母体化合物上，最佳空穴掺杂的最大 $T_{c}$ 常高于最佳电子掺杂者。然而，在此类高-$T_{c}$ 超导体中，电子载流子是否可能比空穴更有利于更高的 $T_{c}$ 尚属未知但引人关注。本文中我们表明，施加压力可驱动 KFe$_{2}$As$_{2}$ 在经历先前报道的 $V$ 形或振荡区后，从空穴超导性转变为电子超导性。在电子占优区域的最大 $T_{c}$ 增至初始值 3.5 K 或低压空穴占优区域平均值的三倍。当载流子特性在压缩下改变时，结构转变从四方相发生至坍缩四方相。我们的结果明确提供了一条通过载流子切换以巨大 $T_{c}$ 增强进一步改善化合物超导性的新途径。KFe$_{2}$As$_{2}$ 中的强电子关联被认为解释了坍缩四方相中超导性的意外增强。