钍掺杂诱导 Gd1-xThxFeAsO 中高达 56 K 的超导电性
超导电性
2008-09-10 v2
摘要
继在铁基砷化物 LaO1-xFxFeAs 中发现超导转变温度 (Tc) 为 26 K 的超导电性 [1] 之后，通过施加压力 [2] 或将 La 替换为 Sm[3]、Ce[4]、Nd[5] 和 Pr[6]，Tc 出人意料地提升至 40 K 以上。在 SmO1-xFxFeAs[7, 8] 和 SmFeAsO1-x[9] 中观测到的最大 Tc 已攀升至 55 K。研究发现，在 LnFeAsO1-xFx（Ln 代表镧系元素）中，Tc 值随晶格参数的减小而增加，且出现在明显的最佳掺杂水平处。然而，由于 Gd2O2 层与 Fe2As2 层之间的晶格失配，在 GdFeAsO 中进行 F- 掺杂尤为困难 [10,11]。在此，我们报道了通过在 GdFeAsO 中用 Th4+ 取代 Gd3+ 观测到 Tc 高达 56 K 的超导电性。相对较大的 Th4+ 离子的掺入缓解了晶格失配，从而诱导了高温超导电性。
引用
@article{arxiv.0804.4290,
title = {Thorium-doping induced superconductivity up to 56 K in Gd1-xThxFeAsO},
author = {Cao Wang and Linjun Li and Shun Chi and Zengwei Zhu and Zhi Ren and Yuke Li and Yuetao Wang and Xiao Lin and Yongkang Luo and Shuai Jiang and Xiangfan Xu and Guanghan Cao and Zhu'an Xu},
journal= {arXiv preprint arXiv:0804.4290},
year = {2008}
}
备注
4 pages, 3 figures