La0.8Th0.2OFeAs 中的上临界场、超导能隙和塞贝克系数
超导电性
2009-11-13 v1
摘要
我们报道了一种通过用钍部分替代镧而合成的电子掺杂镧基氧族化物超导体的合成与表征。在 La0.8Th0.2OFeAs 中观测到约 30.3 K 的超导转变温度，这是在常压下合成的镧基氧族化物超导体中最高的。我们发现，与通过高压（6 GPa）合成缺氧 LaOFeAs 所得到的结果相比，Th 掺杂导致 LaOFeAs 晶格参数的减小更为剧烈。电阻率和磁化率测量得出上临界场 Hc2(0) 为 47 T。部分用 Th 替代 La 会引入电子掺杂，这由负的塞贝克系数所证实。与温度相关的磁穿透深度数据为 1.4 meV 的无节点低能隙提供了有力证据。
引用
@article{arxiv.0902.3379,
title = {Upper critical field, superconducting energy gaps, and Seebeck coefficient in La0.8Th0.2OFeAs},
author = {J. Prakash and S. J. Singh and S. Patnaik and A. K. Ganguli},
journal= {arXiv preprint arXiv:0902.3379},
year = {2009}
}