氟化钾掺杂 LaOFeAs 多带超导体：极高上临界场的证据
超导电性
2008-06-24 v1 材料科学
摘要
我们描述了一种合成氧磷族化合物超导体的新方法，使用氟化钾作为氟源替代 LaF3。该路线还允许在镧位点进行钾取代，正如多带超导体所预期的那样，这导致上临界场增加。我们还报道了这些超导体中最高的起始转变温度 （28.5 K）以及最高的上临界场。
引用
@article{arxiv.0806.3571,
title = {Potassium fluoride doped LaOFeAs multiband superconductors: Evidence for extremely high upper critical field},
author = {S. Singh and J. Prakash and D. Srikala and A. K. Singh and S. Patnaik and A. K. Ganguli},
journal= {arXiv preprint arXiv:0806.3571},
year = {2008}
}